特許
J-GLOBAL ID：200903092133710954
熱電変換素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池条 重信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278775
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094131
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 Si基熱電変換材料を用いた高性能の熱電変換素子の提供、発電効率を向上させて、高出力電力を得ることが可能な構成からなる熱電変換素子の提供。【解決手段】 Si基熱電変換材料からなるP型熱電半導体材料とN型熱電半導体材料との電極接合を良好にするため、電極材料の熱膨張係数を10ppm/K以下とすることで熱応力を緩和し、接合部のクラックや割れを防止でき、またさらに接合するに際して使用温度範囲に応じて選定したろう材を介在させることで、良好な接合特性が得られ、出力ロスの低減と耐熱性や耐ヒートサイクル性の向上効果が得られる。
請求項（抜粋）：
Si基熱電変換材料からなるP型熱電半導体材料とN型熱電半導体材料の単数又は複数対を、熱膨張係数が10ppm/K以下の材料からなる電極にて接合した熱電変換素子。
IPC (4件)：
H01L 35/14
, H01L 35/32
, H01L 35/34
, H02N 11/00
H01L 35/14
, H01L 35/32 A
, H01L 35/34
, H02N 11/00 A
