特許

J-GLOBAL ID：200903092137335422

半導体レーザモジュール、および半導体レーザモジュールの設計方法

発明者： 築地 直樹 ,  木村 俊雄
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-294043
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179298
出願日： 2002年10月07日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 電流依存性と温度依存性が抑制されたレーザモジュールを提供する。【解決手段】 活性層の近傍に回折格子が配置されている半導体レーザ素子5と、半導体レーザ素子5からの出射光を伝送する光ファイバ8と、半導体レーザ素子5を温度調節するペルチェモジュール2とを備え、半導体レーザ素子5とペルチェモジュール2は、電気的に直列に接続されており、かつ、半導体レーザ素子5からの出射光の波長が、半導体レーザ素子5の駆動電流の使用領域内で略一定とされている半導体レーザモジュールA1。

請求項（抜粋）：

活性層の近傍に回折格子が配置されている半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子からの出射光を伝送する光ファイバと、前記半導体レーザ素子を温度調節するペルチェモジュールとを備え、前記半導体レーザ素子と前記ペルチェモジュールは、電気的に直列に接続されており、かつ、前記半導体レーザ素子からの出射光の波長が、前記半導体レーザ素子の駆動電流の使用領域内で略一定とされていることを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (2件)：

H01S 5/024 ,  H01S 5/125

FI (2件)：

H01S 5/024 ,  H01S 5/125

Fターム (14件)：

5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073CA12 ,  5F073EA01 ,  5F073EA03 ,  5F073FA02 ,  5F073FA06 ,  5F073FA25 ,  5F073GA12 ,  5F073GA21