特許
J-GLOBAL ID:200903092138793971

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-275550
公開番号(公開出願番号):特開平6-224663
出願日: 1993年11月04日
公開日(公表日): 1994年08月12日
要約:
【要約】【目的】 高周波数の作動帯域で生ずる発振から保護される分布集積回路を具える半導体装置を提供する。【構成】 分布型モノリシック集積回路を基板上に具え、高周波域及び/又はマイクロ波域で作動する半導体装置であって、分布型回路が電極を有する少なくとも1個のトランジスタをそれぞれ有する複数の結合された段を具え、これら第1の電極の少なくとも1個の電極をAC接地する。各AC段において、第1の電極は2個の枝格を介して接地し、第1の枝格は第1の接地スタブに直接接続し、第2の枝格は抵抗を介して第2の接地スタブに接続する。
請求項(抜粋):
基板上に分布型モノリシック集積回路を具え高周波及び/又はマイクロ波域で動作する半導体装置であって、分布型集積回路が、電極を有する少なくとも1個のトランジスタを有する結合された複数の段を具え、前記第1電極の少なくとも1個の電極をAC接地した半導体装置において、各AC段において前記第1電極を2個の枝路を介して接地し、第1の枝路を第1の接地スタブに直接接続し、第2の枝路を抵抗を介して第2の接地スタブに接続したことを特徴とする半導体装置。
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-154612
  • 特開昭64-012704
  • 特開平1-154612
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