特許
J-GLOBAL ID：200903092141125904
受発光装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-249076
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106702
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【構成】Si基板100上に側面の傾斜角が45度前後である凹部領域を形成し、その底面の一部に開孔部を有する絶縁膜マスクを形成し、開孔部から露出したSi基板100表面にバッファ層106,二重へテロ構造(DH)レーザ用の結晶構造となるn型GaAs層107,n型AlGaAs層108,アンドープGaAs層109,p型AlGaAs層110、及びp型GaAs111層を順次積層し、pn接合領域が凹部103領域の一辺に対して垂直なストライプ形状となるようにメサエッチングを行い、n型GaAs層107を露出させる。【効果】レーザ作製において基板研磨及び劈開工程が不要となり、煩雑な実装技術を用いることなくSi基板100上に半導体レーザを作製できるので歩留まり及び量産性が著しく向上する。
請求項（抜粋）：
第一の半導体基板表面に少なくとも一辺における側面の第一の半導体基板主面に対する傾斜角が45度前後である凹部領域を形成する工程,凹部領域の底面の一部に開孔部を有する絶縁膜マスクを形成する工程,前記開孔部より露出した前記凹部領域底面の一部に選択的に化合物半導体層を積層してpn接合を含む結晶構造を形成する工程,前記凹部領域の側面の傾斜角が45度前後である一辺に対して垂直方向に前記pn接合をストライプ状にパターニングする工程を含むことを特徴とする受発光装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 27/15
, H01L 33/00
