特許

J-GLOBAL ID：200903092142649362

レジストマスク及びその形成方法

発明者： 蛭田 幸二
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155513
公開番号（公開出願番号）：特開2000-347382
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 マスク基板のレジスト塗布均一性を改善したレジストマスクを得る。【解決手段】 マスク基板上に、レジストを塗布し乾燥させて所定膜厚のレジスト層を形成する工程を、複数回繰り返して所望の積層膜厚のレジスト膜を形成する。

請求項（抜粋）：

複数のレジスト層を積層し所望の積層膜厚に形成されたレジスト膜を備えたことを特徴とするレジストマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  B05D 1/32 ,  G03F 7/16 501 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 L ,  B05D 1/32 E ,  G03F 7/16 501 ,  H01L 21/30 564 D

Fターム (13件)：

2H025AA00 ,  2H025AB08 ,  2H025EA05 ,  2H095BB23 ,  2H095BB27 ,  2H095BB35 ,  2H095BC02 ,  4D075AE15 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC21 ,  4D075EA45 ,  5F046JA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-162331