半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137221
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321232
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】微細化と低消費電力化が容易になり昇圧能力が高いチャージポンプ回路を有する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の主面上に第1ゲート絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に第2ゲート絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極とを有する浮遊ゲート型トランジスタで半導体記憶装置のメモリセル部が構成され、厚い絶縁膜上に形成され直列接続された複数のダイオード素子と、前記ダイオード素子の各端子に接続されたキャパシタとでチャージポンプ回路が形成されている半導体記憶装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に第1ゲート絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に第2ゲート絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極とを有する浮遊ゲート型トランジスタで半導体記憶装置のメモリセル部が構成され、厚い絶縁膜上に形成され直列接続された複数のダイオード素子と、前記ダイオード素子の各端子に接続されたキャパシタとでチャージポンプ回路が形成されている半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 421 , G11C 16/06 , H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H02M 3/07 , H03K 19/096

FI (5件)：

H01L 27/10 421 , H02M 3/07 , H03K 19/096 A , G11C 17/00 309 D , H01L 27/06 102 F

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