特許
J-GLOBAL ID：200903092155597400

導電膜の形成方法、及び電子機器の製造方法

発明者：
傳田 敦

傳田 敦 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-123193
公開番号（公開出願番号）：特開2006-302679
出願日： 2005年04月21日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】 安定な電気的特性を有する低抵抗の導電膜を液相法を用いて形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明の導電膜の形成方法は、基板P上に微粒子材料を含む液体材料12を配置する工程と、前記基板P上の液体材料12をフラッシュランプを用いた光照射により焼成して導電膜を形成する工程と、を含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基体上に微粒子材料を含む液体材料を配置する工程と、 前記基体上の液体材料を、フラッシュランプを用いた光照射により焼成して導電膜を形成する工程と、 を含むことを特徴とする導電膜の形成方法。
IPC (6件)：
H01B 13/00 ,  B05D 5/12 ,  H01L 21/288 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/320
FI (8件)：
H01B13/00 503Z ,  H01B13/00 503B ,  B05D5/12 B ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 617J ,  H01L21/88 B
Fターム (75件)：
4D075AC06 ,  4D075BB29Z ,  4D075DC21 ,  4D075EC02 ,  4D075EC53 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD80 ,  4M104GG09 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH38 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033XX08 ,  5F110AA03 ,  5F110AA14 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE37 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110HM19 ,  5F110NN24 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5G323AA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06 ,  5G323BC01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM