特許

J-GLOBAL ID：200903092156757087

薄膜太陽電池

発明者： 佐藤 広喜
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040323
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252433
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】ソーダライムガラス板の上にMo電極を備えた基板上のCu/In積層膜をセレン化してCuInSe2 膜を成膜する際、電極の剥離およびMoのセレン化物生成による薄膜太陽電池特性の低下を防ぐ。【構成】Mo電極層とガラス板の間に、熱膨張係数がソーダライムガラスとMoの中間にあるTa、Cr、Nb、Tiなどの緩衝層を介在させることにより、Moとソーダライムガラスとの熱膨張係数の差に起因する高温プロセス時の電極剥離が防止され、剥離部にセレン雰囲気が入ることに起因するセレン化物の生成も起きない。

請求項（抜粋）：

光電変換のためのI-III -VI2 族カルコパイライト型三元化合物薄膜がソーダライムガラス板上にモリブデン電極を備えた基板上に形成されたものにおいて、ガラス板とモリブデン電極層との間に熱膨張係数がソーダライムガラスとモリブデンの中間にある金属よりなる緩衝層が介在することを特徴とする薄膜太陽電池。