特許
J-GLOBAL ID:200903092157131246

半導体装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾川 秀昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-185092
公開番号(公開出願番号):特開平10-326795
出願日: 1997年07月10日
公開日(公表日): 1998年12月08日
要約:
【要約】【課題】 外部端子(半田ボール)6のコプラナリティーを半導体装置の重量を徒らに高めることなく改善し、更には半導体装置の耐高周波ノイズ性を高める。【解決手段】 接着シート8として、剛性を備え、フィルム回路の外側部分裏面に接着される部分8bをも有するものを用いてなる。具体的には、例えばステンレス等からなる剛性シート層10の両面に緩衝性接着シート層9、11を形成したものを接着シート8として用いる。更に、該剛性シート層10を静電シールドにも用いる。
請求項(抜粋):
絶縁層をベースとして複数の配線膜を形成し、該配線膜の一端を半導体素子の電極と接続される半導体素子側端子とし、他端に外部端子を形成してなり、素子対応部分及びそれより外側の外側部分を有するフィルム回路と、上記配線膜の半導体素子側端子に各電極が接続され、表面が上記フィルム回路の上記素子対応部分の裏面に接着シートを介して接着された半導体素子と、を少なくとも有し、該フィルム回路と該半導体素子との間が封止された半導体装置であって、上記接着シートとして、剛性を有し、上記フィルム回路の外側部分裏面に接着された部分をも有するものを用いてなることを特徴とする半導体装置

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