特許

J-GLOBAL ID：200903092164040124

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 竹口 哲治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192987
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036288
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 EPROM等のフローティング・ゲートを有するメモリ・セル・トランジスタで構成されたプログラム可能な不揮発性半導体記憶装置に関し、リファレンス・ビット線を減少して、チップ面積の増大を抑えるようにすることを目的とする。【構成】 メモリ・セル・トランジスタTC (TC00〜TC22) の出力とリファレンス・トランジスタTRの出力をセンスアンプB6で比較してデータを読み出すプログラム可能な不揮発性半導体記憶装置であって、前記リファレンス・トランジスタTRのゲート電圧を前記メモリ・セル・トランジスタTC (TC00〜TC22) のゲート電圧とは独立に制御し、通常の読み出し時とプログラム・ベリファイ時で該リファレンス・トランジスタTRのゲート電圧を変化するように構成する。

請求項（抜粋）：

メモリ・セル・トランジスタ(TC)の出力とリファレンス・トランジスタ(TR)の出力をセンスアンプ(B6)で比較してデータを読み出すプログラム可能な不揮発性半導体記憶装置であって、前記リファレンス・トランジスタのゲート電圧を前記メモリ・セル・トランジスタのゲート電圧とは独立に制御し、通常の読み出し時とプログラム・ベリファイ時で該リファレンス・トランジスタのゲート電圧を変化するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 11/409

FI (2件)：

G11C 17/00 309 A ,  G11C 11/34 354 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-293800
  
• 特開昭59-104796
  
• 特開平1-184793