特許

J-GLOBAL ID：200903092167205361

III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者： 橋村 昌樹 ,  長坂 尚久
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-326194
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165226
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】ウエハにレーザーにより分離溝を形成し、非透明な溶融再固化物を除いてから個々のIII族窒化物系化合物半導体発光素子を得る。【解決手段】基板1にIII族窒化物系化合物半導体素子層2を形成し、粘着シート3を貼り、ウエハを裏返す(a)。レーザー照射により、ウエハを裏面に格子状(d)に分離溝を形成すると、溶融再固化物Mを有した状態で分離溝が形成される(b)。分離溝側面LSが露出するまでブラスト処理を行う(c)。こののちローラーブレーキング等により個々の素子に分離する。(e)はブラスト処理前の(b)でAと示した部分の拡大図であり、分離溝表面に溶融再固化物Mが、基板1裏面には溶融飛散再固化物Abが一様に付着している。(f)のように、分離溝側面LSが露出するまでブラスト処理を行えば、更には基板1裏面の一部をも削ることとなり、表面荒れを生じた基板裏面BSを露出させ、光取り出し性を向上させることができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体素子を分離して個々のIII族窒化物系化合物半導体素子とする製造方法において、 レーザーにより分離溝を形成したのち研磨処理又はブラスト処理を行うことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L33/00 ,  B24C1/00 ,  H01L21/301

FI (4件)：

H01L33/00 C ,  B24C1/00 Z ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 H

Fターム (5件)：

5F041AA03 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77