バイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-139560
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319936
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】外部ベース層の抵抗値の小さいヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Siサブコレクタ層3aが設けられたSIエピタキシャル層4の上に、アンドープのSiGeスペーサ層7,ボロンがドープされた傾斜SiGeベース層8,ボロンがドープされたSiキャップ層9が順次設けられている。Siキャップ層9の上には、下敷き酸化膜11が設けられており、下敷き酸化膜11のエミッタ開口部11aを埋めるエミッタ引き出し電極10が設けられている。そして、エミッタ引き出し電極10中のリンがSiキャップ層9の一部に拡散されてエミッタ拡散層9aが形成されている。外部ベース層のうち下敷き酸化膜11の下方に位置するリンク領域Rlinkが傾斜SiGeベース層8からSiキャップ層9に亘って形成されているので、外部ベース抵抗が低減する。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられ、第1導電型不純物を含むコレクタ層として機能する第1の半導体層と、上記第1の半導体層の上に設けられ、第2導電型不純物を含む第2の半導体層と、上記第2の半導体層の上に設けられ、上記第2の半導体層とはバンドギャップが異なる材料からなり、少なくとも下部に第2導電型不純物を含む第3の半導体層と、上記第3の半導体層の上に設けられた下敷き絶縁膜と、上記下敷き絶縁膜に設けられ、上記第3の半導体層に達する開口部と、第1導電型不純物を含む導体材料により構成され、上記下敷き絶縁膜の開口部を埋めて上記第3の半導体層に接触するエミッタ引き出し電極とを備えたバイポーラトランジスタにおいて、上記第3の半導体層は、上記開口部の下方に位置する第1導電型のエミッタ拡散層を有しており、上記第2の半導体層は、上記第1の半導体層のエミッタ拡散層に接する真性ベース層を有していることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/165

FI (2件)：

H01L 29/165 , H01L 29/72

Fターム (23件)：

5F003AP04 , 5F003AP05 , 5F003BA11 , 5F003BA27 , 5F003BB00 , 5F003BB01 , 5F003BB02 , 5F003BB04 , 5F003BB05 , 5F003BB06 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BC08 , 5F003BE02 , 5F003BE07 , 5F003BF06 , 5F003BH07 , 5F003BH18 , 5F003BH94 , 5F003BH99 , 5F003BM01 , 5F003BP21 , 5F003BP31

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