特許
J-GLOBAL ID：200903092173983996
アルミニウムスパッタリングターゲット及び表示デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-104682
公開番号（公開出願番号）：特開平7-286268
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 スパッタリング法による基板への配線膜の形成において、薄膜の電気抵抗の増大を抑制しつつヒロックの発生を低減させることができ、ガラス基板、石英基板、透明フィルム基板等の表示デバイス用基板への配線膜形成に好適に使用することができるアルミニウムスパッタリングターゲット及びこのターゲットを用いた表示用デバイスの製造方法を提供する。【構成】 純度99.995%以上のアルミニウムにSc又はSc合金をSc量が全体の10ppm以上0.5%以下の重量割合となるように添加したアルミニウムスパッタリングターゲットとする。Sc合金としてはScSi、ScCu、ScTi等を用いる。また、上記ターゲットを用いてスパッタリング法により基板上に配線膜を形成する。
請求項（抜粋）：
純度99.995%以上のアルミニウムにSc又はSc合金をSc量が全体の10ppm以上0.5%以下の重量割合となるように添加してなることを特徴とするアルミニウムスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C22C 21/00
, H01L 21/3205
