特許
J-GLOBAL ID：200903092184069757
レーザアニール処理装置及びその制御方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
,
代理人 (1件)：
中村 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069049
公開番号（公開出願番号）：特開平5-237683
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：
【要約】【目的】大型液晶基板等のレーザアニールを小型の装置で高速化する。基板上のレーザ照射域の面走査を精密に規制できるレーザ照射制御方法を提供する。【構成】基板A上のレーザ照射域走査を、光学系30の一軸方向移動による主走査とステージ25の一軸方向移動による副走査の合成によって行い、この走査量を、走査用駆動軸上に設けたロータリエンコーダ出力をレーザ装置を制御しているコンピュータにフィードバックすることによって位置決め制御する。
請求項（抜粋）：
レーザ透過用意を有するチャンバと、該チャンバ内に設けられた被加工板定置用ステージと、前記チャンバ上に位置して光学系を備え、被加工板の表面にスポット状のレーザビームを面走査によって照射するレーザアニール処理装置において、被加工板定置用ステージを面走査するためのX、Y各駆動軸の夫々にロータリコンコーダを設け、該エンコーダ出力によって前記各駆動軸を制御させると共に該エンコーダ出力を位置情報として該位置情報を制御用コンピュータに予め設定した照射予定位置情報と対照させ両者の一致出力によってレーザ装置をトリガするようにしたことを特徴とするレーザアニール処理装置の制御方法。
IPC (7件)：
B23K 26/08
, B23K 26/00
, B23K 26/12
, C23F 4/02
, G02B 26/10
, H01L 21/268
, B23K101:40
