特許
J-GLOBAL ID：200903092190362237
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326838
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】パッケージのリードから半導体素子の根元までのインダクタンス成分に対しても効率よくノイズ低減を行う。【構成】半導体素子2上に薄膜コンデンサ2を形成する。この薄膜コンデンサ2によりノイズ低減を行う。
請求項（抜粋）：
所定の電子回路が形成され上面に前記電子回路と接続する複数のパッドと、これらパッド以外の部分を覆って形成された絶縁膜とを備えた半導体素子と、この半導体素子の絶縁膜上に形成された薄膜コンデンサと、この薄膜コンデンサの電極と前記半導体素子の所定のパッドとを接続する接続手段と、外部回路と接続するための複数のリードを備え前記半導体素子を所定の位置に搭載固定するパッケージと、このパッケージの各リードと前記半導体素子の各パッドとをそれぞれ対応して接続する複数の配線とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 25/00
, H03H 7/01
, H01G 4/42 331
