特許
J-GLOBAL ID：200903092193451842
イオン注入方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069345
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274040
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 中電流イオン注入装置を用いて大口径の基板にイオン注入する場合でも、チャージアップ損傷が低減できるようにすることを目的とする。【構成】 まず、初期の状態のイオンビーム3をファラデーカップ1上で走査することでビーム電流走査波形を得て、これよりビーム径を求める。次に、ビーム形状調整手段として通常用いられている4重極レンズを調整することにより、イオンビーム3のビーム径を拡大し、上述と同様にして求めるこのビーム径より得られる電流密度が所望の値となるようにする。
請求項（抜粋）：
静電スキャンとメカニカルスキャンとを組み合わせたハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置を用い、電流値を一定としてイオンビームのビーム径を調整してイオン注入を行い、絶縁破壊を一番起こし難い状態の最適電流密度を予め求めておき、実際のイオン注入を行うときは、用いるイオンビームのビーム電流密度を求めて、このビーム電流密度が前記最適電流密度と一致するように、前記イオンビームのビーム径を調整することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, G01T 1/29
, H01J 37/317
H01L 21/265 N
, G01T 1/29 B
, H01J 37/317 C
, H01L 21/265 D
