特許
J-GLOBAL ID：200903092195074213
ベーキング装置およびベーキング方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212753
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055951
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅型レジストを使用するレジスト工程における、PEB工程時の半導体ウェハ面内温度を均一化して面内熱履歴差異の無い熱処理を可能にするベーキング装置およびベーキング方法を提供する。【解決手段】 PEB装置の加熱部5aの処理室11下方より処理室11内に導入する不活性ガスのガス配管系31にガス流量調整器34とガス加熱器35を設け、半導体ウェハ10を載置して加熱する加熱基板12周縁部より加熱基板上面側に不活性ガスを吹き出ださせる吹き出し孔32を設けた加熱部により、半導体ウェハ10を加熱し、その後半導体ウェハ10をPEB装置の冷却部に移動させて冷却する。【効果】 高集積化した半導体装置の製造が可能となる。
請求項（抜粋）：
化学増幅型レジストを塗布した被処理基板の露光後にベーキングをする、加熱部と冷却部とを有して構成されたベーキング装置において、前記加熱部の処理室下方より処理室内に導入する不活性ガスのガス配管系にガス流量調整器とガス加熱器を設け、前記処理室下方より前記処理室内に導入する前記不活性ガスを、前記被処理基板を載置して加熱する加熱基板周縁部より加熱基板上面側に吹き出ださせる吹き出し孔を設けた加熱部を有することを特徴とするベーキング装置。
FI (2件)：
H01L 21/30 568
, H01L 21/30 566
