特許
J-GLOBAL ID：200903092197473441
高温超電導体ジョセフソン接合およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-192270
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206530
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 周知の製造方法で簡単にジョセフソン接合を製造する。【構成】 このジョセフソン接合はセラミック化合物で、高温超電導体の種類から製造される。単一結晶内の連続層がジョセフソン接合の特性を決定する。超電流は結晶C軸の方向に流れる。高温超電導体の本質のカテゴリーにおいて、ジョセフソン接合は、各々の2つの酸化銅平面間の空間に配置される。高温超電導体の異なる種類ではジョセフソン接合は、各々2つの単一酸化銅平面間に配置される。臨界超電流密度、キャパシタンス、ジョセフソン接点の分路抵抗のような電気特性は、酸素の制御付加または制御引出しにより調整される。単結晶内での真性ジョセフソン接合の積重ねを使用して電流制御可能な周波数発生器、ジョセフソン電圧標準、SQUIDを実現できる。
請求項（抜粋）：
下記製造ステップにより、少なくとも1つの真性ジョセフソン接合を形成する高温超電導体の製造方法。結晶C軸と垂直な磁界の透過の深さ以下の寸法の小さい単結晶が、高温超電導体の溶解物から引出されるか、又は基板上でエピタキシャル的に付着される。制御酸素分圧の不活性雰囲気または真空内で単結晶が製造されるかまたは後処理される。単結晶超電導層と平行な境界において、良電導接点が蒸着される。単結晶は超電導遷移温度以下に冷却される。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
