半導体装置の製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055691
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259458
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】半導体層を絶縁膜でコーティングすることによりデバイスの安定性とアニーリング効果を促進する半導体装置の製法。【構成】半導体薄膜の表裏両面を絶縁性薄膜によって被覆する工程を有する半導体装置の製法。

請求項（抜粋）：

半導体薄膜の表裏両面を絶縁性薄膜で被覆する工程を有することを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 21/02 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

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