特許
J-GLOBAL ID：200903092204192429
立体集積回路装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-019582
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235631
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 薄くされた基板の試験を両面から行える立体集積回路装置の製造方法を提供する。【構成】 電気化学的エッチングにより貫通細孔12の形成されたシリコンウェハが、支持プレート24として基板21に取り付けられる。貫通細孔12はシリコンウェハに対し絶縁されており、それらには導電性充填物14が設けられる。基板21は構成素子を有しており、立体集積回路として集積される。その際、導電性充填物と導電接続され支持プレート(24)の表面に配置された接続面25が、支持プレート(24)に隣接する基板(21)の面上に配置された構成素子と当接し、それらと固定結合される。
請求項（抜粋）：
立体集積回路装置の製造方法において、弗化物を含む酸性の電解質における電気化学的エッチングにより、ドーピングされた単結晶シリコンウェハ(11)に貫通細孔(12)が生成され、前記電解質中でシリコンウェハ(11)はアノードとして配線され、前記貫通細孔(12)には少なくとも部分的に、前記シリコンウェハ(11)に対し絶縁されて導電性充填物(14)が設けられ、前記シリコンウェハ(11)は支持プレート(24)として基板(21)の第1の主表面(22)に取り付けられ、前記基板(21)は、少なくとも第1の主表面(22)の領域に構成素子を有し該構成素子に対するコンタクト(23)を前記第1の主表面(22)上に有しており、前記基板(21)は他の基板(31)とともに立体集積回路装置として集積され、少なくとも、前記第1の主表面(22)と隣接する支持プレート(24)の表面上に、少なくとも1つの導電性充填物(14)と導電接続された接続面(25)が形成され、該接続面(25)は前記第1の主表面(22)上の少なくとも1つのコンタクト(23)と当接し、該接続面(25)は個々のコンタクト(23)と固定結合されることを特徴とする、立体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/52 C
, H01L 23/12 N
