特許

J-GLOBAL ID：200903092204998610

無電解めっき方法及び無電解めっき液

発明者： 由尾 啓 ,  瀬川 雄司 ,  駒井 尚紀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192709
公開番号（公開出願番号）：特開2001-020077
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の接続孔などのように、アスペクト比の大きい部分に、銅を用いた良質な成膜が可能な無電解めっきによるめっき方法及びめっき液を提供すること。【解決手段】 接続孔6の表面に形成されたバリア層5上に銅の無電解めっきを行うに際し、めっき促進剤として金、ニッケル、パラジウム、コバルト及び白金などの金属の塩を、この無電解めっき液組成中の銅の塩に対して1モル%以下の量で添加する。これにより、銅よりも触媒性の高い金属が銅の析出前に析出するので、その後に銅が良質のめっき膜として析出することができる。

請求項（抜粋）：

銅の塩と、キレート剤と、還元剤とを含む無電解めっき液を用い、活性化処理された被めっき物の表面に銅の無電解めっきを施すに際し、前記無電解めっき液にめっき促進剤として、金、ニッケル、パラジウム、コバルト及び白金などの金属の塩を、この無電解めっき液組成中の銅の塩に対して1モル%以下の量で添加する、無電解めっき方法。

IPC (3件)：

C23C 18/38 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

C23C 18/38 ,  H01L 21/288 M ,  H01L 21/88 M

Fターム (32件)：

4K022AA41 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022CA06 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB04 ,  4K022DB05 ,  4K022DB06 ,  4K022DB07 ,  4K022DB08 ,  4K022DB24 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD22 ,  4M104DD53 ,  4M104HH13 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP28 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX02