特許
J-GLOBAL ID：200903092207255685
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042706
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243221
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】少なくとも3層以上の配線層を有する半導体集積回路装置において、この上部の配線間の接続の為の、スルーホール穴をあける時の、露光の解像度の制御、エッチングの制御、またスルーホール穴の中の上部の配線層の形状の制御を容易にすること。【構成】配線層5と配線層4の間の、層間絶縁膜451と452の間に、配線層4を形成した以外の領域上に、配線層45Xを形成しており、また配線層3と配線層4との間も同様に配線層34Xを形成している。【効果】配線層5の上の層間絶縁膜の平坦性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、少なくとも3層以上の配線層を有する半導体集積回路装置に於て、第1の配線層と、該第1の配線層のすぐ下の第2の配線層との間にある絶縁膜の中であって該第2の配線層を形成している以外の領域に、前記第1および第2の配線層に接続しない第3の配線層を設けていることを特徴とする半導体集積回路装置。
引用特許：
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