特許

J-GLOBAL ID：200903092207298945

拡散結合SOI基板の埋め込み拡散層のモニター 方法

発明者： 小林 裕之 ,  金井 昭男 ,  大木 好 ,  片山 正健
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-256066
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111321
出願日： 1993年10月13日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 拡散結合SOI基板の埋め込み拡散層をモニターする方法において、従来のように拡散層モニターウェーハをSOI構造にしなくても、SOI基板の埋め込み拡散層を高精度にモニターでき、表面のCVD膜を除去するだけで拡散層の検査値の測定が行なえるようにする。【構成】 ミラーウェーハに不純物ドープ層を形成した後、この不純物ドープ層表面をCVD膜でキャップし、次いでSOI基板の結合熱処理と同一の熱処理を行ってモニターウェーハを作製し、このモニターウェーハを用いて、結合熱処理後のSOI基板の埋め込み拡散層のモニターを行う。

請求項（抜粋）：

拡散結合SOI基板の埋め込み拡散層をモニターする方法において、ミラーウェーハに不純物ドープ層を形成した後、この不純物ドープ層表面をCVD膜でキャップし、次いでSOI基板の結合熱処理と同一の熱処理を行なってモニターウェーハを作製し、このモニターウェーハを用いて、結合熱処理後のSOI基板の埋め込み拡散層のモニターを行なうことを特徴とする方法。