特許
J-GLOBAL ID:200903092208883493

積層チップトランスとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丸岡 政彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-031401
公開番号(公開出願番号):特開平6-224043
出願日: 1993年01月27日
公開日(公表日): 1994年08月12日
要約:
【要約】【目的】 1次コイルと2次コイルとの電磁誘導結合係数を大きくしながら、両コイル間の絶縁耐圧を高くし、かつ結合浮遊容量を小さくでき、コイルを形成するコイル導体パターン間に発生する並列浮遊容量をも低減して高周波特性を良好にした積層チップトランスとその製造方法の提供。【構成】 低透磁率磁性体グリーンシート2上に1次側のコイル導体パターン3および2次側のコイル導体パターン4を印刷するとともに、該導体パターン以外の部分に高透磁率磁性体ペースト5を印刷し、これら導体印刷部を有するシートを用いて中央部に1次コイル6、1次コイルの上下に分割して2次コイル7を配置し、1次コイルと2次コイルとの間および導体印刷部の最上層とカバーシートとの間には、同様に高透磁率のペースト5のみを印刷した低透磁率磁性体グリーンシート2を介在させる。
請求項(抜粋):
磁性体からなるチップ素体の内部に、該磁性体の一部を薄層状に介在させて積層的に埋設された複数のコイル導体が含まれてなり、これらコイル導体の端末が、該チップ素体の端面に導出され、素体の端面に形成された外部端子電極に接続されている積層チップトランスであって、前記コイル導体の周囲部分と、前記薄層状介在部分が低透磁率磁性体で構成されていることを特徴とする積層チップトランス。
IPC (2件):
H01F 17/00 ,  H01F 41/04

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