特許

J-GLOBAL ID：200903092227361449

透明導電性積層体

発明者： 森貞 和仁 ,  谷田部 俊明
出願人/特許権者： 帝人株式会社
代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202130
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064034
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】透過率、屈曲耐久性の向上。【構成】有機高分子成形物上に非晶質のインジウム-錫酸化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱による熱処理によりインジウム-錫酸化物を結晶質に転化させて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の結晶質のインジウム-錫酸化物の結晶粒径が15〜100nmの範囲である。

請求項（抜粋）：

有機高分子成形物上に非晶質のインジウム-錫酸化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱による熱処理によりインジウム-錫酸化物を結晶質に転化させて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の結晶質のインジウム-錫酸化物の結晶粒径が15〜100nmの範囲であることを特徴とする透明導電性積層体。

IPC (4件)：

H01B 5/14 ,  B32B 9/00 ,  C08J 7/06 ,  C23C 14/08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-194943