特許

J-GLOBAL ID：200903092228496267

半導体装置及びその製造方法

発明者： 両角 幸男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 柳瀬 睦肇 ,  宇都宮 正明 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087555
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296812
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】効率的に組み立てることにより製造コストを低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ12のチップ領域に第1の電極取り出し用パッド7を形成し、このパッド7上に第1の金属ポスト8を形成して半導体ウエハ12を作製し、半導体ウエハ41のチップ領域に第2の電極取り出し用パッド7を形成し、このパッド7上に第2の金属ポスト8を形成し、半導体ウエハ41の裏面に、第2の金属ポスト8に対向する位置のホール6aを形成して第2の電極取り出し用パッドを露出させた半導体ウエハ41を作製し、半導体ウエハ12上に半導体ウエハ41を配置し、第1の金属ポスト8をホール6a内に挿入し、第1の金属ポスト8を第2の電極取り出し用パッドに接続し、半導体ウエハ12,41をスクライブラインで切断するものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1半導体ウエハの各々のチップ領域に第1の電極取り出し用パッドを形成し、前記第1の電極取り出し用パッド上に、前記第1半導体ウエハの表面から露出する第1の導電ポストを形成することにより第1半導体ウエハを作製する工程と、 第2半導体ウエハの各々のチップ領域に第2の電極取り出し用パッドを形成し、前記第2の電極取り出し用パッド上に、前記第2半導体ウエハの表面から露出する第2の導電ポストを形成し、前記第2半導体ウエハの裏面に、前記第2の導電ポストに対向する位置のホールをエッチング加工又はレーザ加工により形成することにより前記第2の電極取り出し用パッドを露出させた第2半導体ウエハを作製する工程と、 前記第1半導体ウエハ上にフェイスアップで前記第2半導体ウエハを配置し、前記第1の導電ポストを前記ホール内に挿入し、前記第1の導電ポストを前記第2の電極取り出し用パッドに接続する工程と、 前記第2半導体ウエハ及び前記第1半導体ウエハをスクライブラインで切断する工程と、 を具備する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L25/065 ,  H01L21/3205 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (2件)：

H01L25/08 Z ,  H01L21/88 T

Fターム (32件)：

5F033HH11 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK00 ,  5F033KK11 ,  5F033KK23 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV07