特許

J-GLOBAL ID：200903092229262227

光電変換素子

発明者： 関口 隆史 ,  宮田 照久 ,  石田 修 ,  児島 克典 ,  滝 哲也
出願人/特許権者： 日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-389966
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187883
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 集電体の内部抵抗により生じる損失を抑制し、また、光電変換層である色素を担持した半導体層での入射光の捕捉割合を高めることにより、光電変換効率が飛躍的に向上した光電変換素子を提供する。【解決手段】 増感色素を担持した半導体層が被着された光透過性の基板と、前記基板の前記半導体層と対峙する電極と、前記基板の前記半導体層と前記電極との間に配置された電解質層とを備えた光電変換素子であって、前記半導体層の前記電解質層と接する側に導電性多孔膜よりなる集電体を設けた光電変換素子とする。

請求項（抜粋）：

増感色素を担持した半導体層が被着された光透過性の基板と、前記基板の前記半導体層と対峙する電極と、前記基板の前記半導体層と前記電極との間に配置された電解質層とを備えた光電変換素子であって、前記半導体層の前記電解質層と接する側に導電性多孔膜からなる集電体を設けたことを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (11件)：

5F051AA14 ,  5F051FA14 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC11 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04