バイアス発生装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193501
公開番号（公開出願番号）：特開平10-039591
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】従来の現像バイアス装置は、プラスとマイナスの2種類の高圧電源を必要とし、更にプラス側のスイッチ回路、マイナス側のスイッチ回路が必要になるなど回路構成が複雑で、且つ、それらが高圧回路で構成されるために基板上の沿面距離が必要となるなど、基板の大型化が避けられなかった。。【解決手段】 1は3値バイアス波形のパルス部に相当する交流高圧を発生する交流高圧電源、2は外部信号によってオン、オフ制御される双方向スイッチ回路、3はオーバーシュートをクリップするオーバーシュートクリップ回路、4はアンダーシュートクリップ回路、5はタイミング信号発生回路、6は現像DC発生回路、7は出力端である。

請求項（抜粋）：

外部制御によって交流の周波数および出力タイミングが制御される交流高圧発生手段と、バイアス信号を外部に出力する出力端と、前記交流高圧発生手段と前記出力端との間に接続され、前記交流高圧発生手段からの出力信号を前記出力端に出力する外部制御可能なスイッチ手段と、前記交流高圧発生手段および前記スイッチ手段の動作を予め定められた態様で行わせるよう制御信号を発生するタイミング信号発生手段とを有し、前記出力端からの出力バイアスが3種類の電圧値を周期的に繰返す3値バイアス交流高圧となるように、前記タイミング信号発生手段からの信号によって前記交流高圧発生手段および前記スイッチ手段を制御するようにしたことを特徴とするバイアス発生装置。

IPC (2件)：

G03G 15/06 101 , G03G 21/00 502

FI (2件)：

G03G 15/06 101 , G03G 21/00 502

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