特許

J-GLOBAL ID：200903092234327507

バイパス・ダイオードで保護された多層太陽電池

発明者： グリーン マーティン アンドリュー ,  ウェンハム ステュワート ロス
出願人/特許権者： パシフィック ソーラー ピーティーワイ リミテッド
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-517202
公開番号（公開出願番号）：特表平10-510097
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】バイパス・ダイオードを備えた多層太陽電池は、多数の整流光起電接合(15、16、17、18)を形成するため配置されたp型とn型の交互の半導体層(10、11、12、13、14)から成る積層を含む。下の層との接触は全活動層を貫いて下に伸びる溝から成る埋め込み接点構造を通して行なわれ、各溝の壁には、各接点の接続先となる層に応じてn型またはp型の不純物が添加され(33、34)、溝には金属接点材料(31、32)が詰められる。量子トンネル現象で逆バイアス特性が得られ、それにより所定の逆バイアス条件で伝導が生じるように、電池の接合(16)の1つまたは複数の部分の両側(10、13)で添加不純物量を増やすことによって、1つまたは複数のバイパス・ダイオードが形成される。上記バイパス・ダイオードの添加不純物量を1018原子/cm3以上とし、またその接合面積を小さくすることが理想的である。

請求項（抜粋）：

少なくともその一部が、逆バイアス特性を持つバイパス・ダイオードを形成し、それにより所定の逆バイアス条件で伝導が生じる光電池の整流接合を形成する、不純物を添加した多数の半導体領域を含む太陽電池。