特許

J-GLOBAL ID：200903092238730519

半導体装置

発明者： 星 聡 ,  増田 正美
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-124452
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307443
出願日： 1994年05月15日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 自己基板バイアス発生回路を備えたCMOS構造の半導体装置において、電源投入直後の内部寄生容量のカップリングに起因するラッチアップの発生を防止する。【構成】 Pウエル6にはこのPウエルより不純物濃度の高いP型拡散領域4と、このP型拡散領域4に形成され、自己基板バイアス発生回路に電気的に接続された逆バイアス供給端子Vbbと、Pウエル6に形成され、半導体基板20表面に形成された絶縁膜8とこの絶縁膜の上に形成された電極16とから構成されたMOS型キャパシタ10と電極16に形成された基準電圧供給端子Vssとを備えている。自己基板バイアス発生回路を備えたCMOS構造の半導体装置の逆バイアスが印加されるウエル内にMOS型キャパシタを構成し、このMOS型キャパシタに外部電源を供給することによって電源投入時のウエル電位の変動を抑え、ラッチアップの発生を防止する。

請求項（抜粋）：

自己基板バイアス発生回路が形成されている半導体基板と、前記半導体基板に形成され、N型MOSトランジスタを備えたPウエルと、前記半導体基板に形成され、P型MOSトランジスタを備えたNウエルと、前記Pウエル領域に形成され、このPウエルより不純物濃度の高いP型拡散領域と、前記P型拡散領域に形成され、前記自己基板バイアス発生回路に電気的に接続された逆バイアス供給端子と、前記Pウエル領域に形成され、前記半導体基板表面に形成された絶縁膜とこの絶縁膜の上に形成された電極とから構成されたMOS型キャパシタと、前記電極に形成された基準電圧供給端子とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/08 331 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/04 G ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 S