特許

J-GLOBAL ID：200903092243498799

プリント回路基板の製造方法

発明者： 大野 隆生 ,  赤池 信一
出願人/特許権者： タムラ化研株式会社
代理人 (1件)： 佐野 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119657
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307552
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】スルーホールを有する回路基板を製造する際のエッチング工程において簡単、安価かつ信頼性の高いエッチングレジスト膜を形成すること。【構成】回路配線パターンのスルーホール及びその周縁に【化1】〜【化2】の1種を含有する処理液にて処理したエッチングレジスト膜を形成する。但し、X1, X2,Y2はハロゲン原子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル又はニトロ基、Y1はC1〜C20 のアルキル基を示す。

請求項（抜粋）：

表面に銅層を有する基板にエッチング処理をするエッチング処理工程を有することによりスルーホールを有する回路配線パターンを形成するプリント回路基板の製造方法において、上記エッチング処理は下記一般式〔化1〕及び〔化2〕で表される化合物からなる群の少なくとも1つの化合物又はその塩を含有する処理液により処理することにより上記回路配線パターンの少なくとも上記スルーホール及びその周縁にエッチングレジスト膜を形成した後エッチングするプリント回路基板の製造方法。【化1】(式中、X1 は同一又は異なりてハロゲン原子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、Y1 は炭素数1〜20個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、nは1〜4の整数を表す。)【化2】(式中、X2 、Y2 はそれぞれ同一又は異なりてハロゲン原子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、さらにY2 は炭素数1〜7個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、n、pはそれぞれ0〜4の整数、mは1〜10の整数を表す。)

IPC (3件)：

H05K 3/06 ,  C07D235/08 ,  H05K 3/42