特許

J-GLOBAL ID：200903092245748083

磁気抵抗効果素子

発明者： 上野 昌紀 ,  田ノ上 修二
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-221663
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078316
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高出力を得ることができ、磁気ヘッド等に用いることができる磁気抵抗効果素子の提供。【構成】?@ソフトバイアス膜5 上の磁気分離膜4 の上に、NiFeの層1 とCuの層2 とが交互に積層された磁気抵抗効果素子であって、NiFeの層1 とCuの層2 は、それぞれ 1.0〜2.0nm および1.5 〜2.5nm の厚さで、層面と平行な一方向磁場中において5〜25回積層され、素子の幅(W)が1〜5μm である磁気抵抗効果素子。?A層面と平行な一方向磁場中においてNiFeの層1 とCuの層2 とが交互に積層された磁気抵抗効果素子であって、NiFeの層1 とCuの層2 はそれぞれ 1.0〜2.0nm および1.5〜2.5nm の厚さで5〜25回積層され、素子の幅は2〜5μm であり、素子の長さと素子の幅の比(素子の長さ/素子の幅)が5〜100 である磁気抵抗効果素子。

請求項（抜粋）：

ソフトバイアス膜上の磁気分離膜の上に、NiFeの層とCuの層とが交互に積層された磁気抵抗効果素子であって、NiFeの層とCuの層は、それぞれ 1.0〜2.0nm および1.5 〜2.5nm の厚さで、層面と平行な一方向磁場中において5〜25回積層され、素子の幅が1〜5μm であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。ただし、素子の幅とは上記のNiFeおよびCuの層を積層する際に印加した一方向磁場の方向と垂直な方向の長さである。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01L 43/08