特許
J-GLOBAL ID：200903092246398469
薄膜EL素子のエージング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯田 堅太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061474
公開番号（公開出願番号）：特開平7-272851
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】より少ない電力消費と設備と工程数で、絶縁破壊を効果的に抑制することができる薄膜EL素子のエージング方法を提供する。【構成】このエージング方法は、ガラス基板1上に、第1電極2、第1絶縁層3、発光層4、第2絶縁層5、及び第2電極6を順に積層形成してなる薄膜EL素子10のエージング方法であり、第1電極2と第2電極5との間に交流電圧を印加し、その電圧を0Vから定格駆動電圧の少し上の電圧まで徐々に上昇させて行なう。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、第1電極、第1絶縁層、発光層、第2絶縁層、及び第2電極を順に積層形成してなる薄膜EL素子のエージング方法において、前記第1電極と第2電極との間に交流電圧を印加し、該電圧を0Vから定格駆動電圧の少し上の電圧値まで徐々に上昇させることを特徴とする薄膜EL素子のエージング方法。
引用特許：
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