特許
J-GLOBAL ID：200903092247920118
半導体光集積素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-290255
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142699
出願日： 1993年11月19日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体光集積素子内の集積される各素子の最適な光導波路構造を極めて容易に実現する構造およびその製法を提供することを目的とする。【構成】 埋め込み型光導波路を形成する埋め込み成長工程と同時にリッジ型光導波路が形成される位置に光導波路と同じ形状の間隙が設けられたパターニング形状を有する絶縁膜マスクを施した半導体基板上に結晶成長を行い半導体の露出した間隙部のみに選択的に選択成長することによりリッジ型光導波路32と埋込型光導波路34が自己整合的に非常に容易に集積可能となる集積光導波路構造およびその製造法をを開示する。【効果】 リッジ型導波路と埋め込み型導波路のパターニングは同一のフォトレジスト工程で形成されるためそれらの光軸は完全に位置整合している。このため、導波結合損失が極めて少ない、異種導波路の集積構造が極めて容易に実現できる。
請求項（抜粋）：
埋込型光導波路とリッジ装荷型光導波路とが同一基板平面内に自己整合的に形成されたことを特徴とする半導体光集積素子。
IPC (2件)：
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