特許
J-GLOBAL ID：200903092248311263
無電解メッキバンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-016114
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218151
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 無電解メッキによるバンプのピッチが狭いものであっても、隣接するバンプが互いに接触することを抑制できる無電解メッキバンプの形成方法、半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、Alパッド2上にパッシベーション膜3を形成する工程と、このパッシベーション膜に、パッド上に位置する開口部を形成してパッドの表面を露出させる工程と、この露出したパッド上に無電解メッキ法により第1のNiバンプ5を形成する工程と、第1のNiバンプ及びパッシベーション膜の上にポリイミド膜7を形成する工程と、このポリイミド膜に、第1のNiバンプ上に位置する開口部7aを形成して第1のNiバンプの表面を露出させる工程と、この露出した第1のNiバンプ上に無電解メッキ法により第2のNiバンプ6を形成する工程と、を具備する。
請求項（抜粋）：
パッド上に無電解メッキ法により第1のバンプを形成する工程と、第1のバンプ上に無電解メッキ法により第2のバンプを形成する工程と、を具備することを特徴とする無電解メッキバンプの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H01L 21/60 311
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 602 J
, H01L 21/92 604 S
, H01L 21/92 603 G
, H01L 21/92 604 D
