特許

J-GLOBAL ID：200903092248374788

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

発明者： 長濱 慎一 ,  小崎 徳也
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080288
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277437
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体を基板としてデバイス構造を形成した場合、劈開により共振面を形成しても、基板に欠けやクラックの発生が生じず、更に、寿命特性を良好にでき、実用化に際しての素子の信頼性が向上するような転位の低減される窒化物半導体基板の得られる窒化物半導体の成長方法、また、本発明の窒化物半導体の成長方法により得られる窒化物半導体を基板とし、寿命特性など素子特性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 窒化物半導体基板1上に、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法(第1の保護膜11又は第1の凹凸13を形成してなる方法)により、第1の窒化物半導体2を成長させる。また得られた第1の窒化物半導体2上にデバイス構造を形成して窒化物半導体素子を得る。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板上に、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法により、第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程を有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/08 P

Fターム (56件)：

5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041CB04 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F051AA08 ,  5F051BA11 ,  5F051CB08 ,  5F051CB10 ,  5F051CB30 ,  5F051GA03 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F088AB07 ,  5F088BA13 ,  5F088CB04 ,  5F088CB07 ,  5F088CB14 ,  5F088GA02