特許

J-GLOBAL ID：200903092249790572

トレンチ埋込みストラップを形成する方法および構造

発明者： アンソニー・ジェー・キャナル ,  ジョン・イー・クローニン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008943
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261026
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 埋込みストラップを有する半導体トレンチ・キャパシタ・セルの形成方法を提供すること。【解決手段】 基板10は、誘電材料26、30によってトレンチ壁から分離された導体28、34を有するトレンチを有する。導体34の頂面より低いレベルまで誘電材料30の一部分を除去し、このようにして形成された空間の少なくとも一部分を拡散可能材料42で充填する。導体34、壁32および拡散可能材料42をアニールして、導電性元素を壁と導体から拡散可能材料中に拡散させることにより、埋込みストラップ42が形成される。

請求項（抜粋）：

(a)誘電材料によってトレンチ壁から分離された導体を有するトレンチを備えた基板を設けるステップと、(b)前記誘電材料の一部分を前記導体の頂面の下のレベルまで除去するステップと、(c)前記誘電材料の除去によって形成された空間の少なくとも一部分を拡散可能材料で充填するステップと、(d)前記導体、前記トレンチ壁、および前記拡散可能材料をアニールして、導電性元素を前記壁および前記導体から前記拡散可能材料中に拡散させることを含む、前記壁から前記導体への導電性経路を形成するステップとを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-276869
  
• 特開平2-005467
  
• 特開昭63-240028