特許

J-GLOBAL ID：200903092257063272

縦型構造トランジスタ及びその製造方法、並びに半導体装置

発明者： 佐藤 浩哉
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-192261
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045692
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 マイクロ波,ミリ波帯での電力増幅用素子として、耐湿性に優れ、高性能な縦型構造トランジスタ及びこれを用いた半導体装置を低コストで提供する。【解決手段】 フィンガー状の素子真性動作部と対向する領域から、該素子真性動作部の長手方向と直交する方向に広がるバンプ電極116を有する縦型構造トランジスタであって、該バンプ電極116を、該素子真性動作部の長手方向における幅が、該素子真性動作部に対向する部分以外の部分(幅W1)では、該素子真性動作部に対向する部分(幅W0)に比べて大きい、略H形の平面形状(展翅状)とし、しかも略H形の平面形状を、該素子真性動作部に対向する部分における該素子真性動作部の長手方向と垂直な横側辺と、該横側辺の両側に位置しこれにつながる傾斜辺とがなす内角が、180°以上かつ225°以下の範囲内の値となるようにした。

請求項（抜粋）：

フィンガー状の素子真性動作部と対向する領域から、該素子真性動作部の長手方向と直交する方向に広がるバンプ電極を有する縦型構造トランジスタであって、該バンプ電極は、該素子真性動作部の長手方向における幅が、該素子真性動作部に対向する部分以外の部分では、該素子真性動作部に対向する部分に比べて大きいものであり、該バンプ電極のなす輪郭は、270°以上の内角を有しない平面形状となっている縦型構造トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (4件)：

H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-137221   出願人：シャープ株式会社