特許

J-GLOBAL ID：200903092257151007

半導体メモリ素子のアクセス方法及び半導体メモリ素子

発明者： 関 洋介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053606
公開番号（公開出願番号）：特開平7-262769
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【構成】 ブロック単位でデータを扱う装置に使用される半導体メモリLSIであり、アドレスストローブ(AS)信号に基づいてアドレスの下位8ビット(A0〜A7)とデータ(D0〜D7)の切換選択を行うセレクタ33と、アドレス(A0〜A11)に対応するブロック番号を設定するアドレスセッター34きによって、メモリ32へのデータの書き込み/読み出し時のアドレス指定をブロック番号により行い、カウンタ31によって、設定したアドレス番号からメモリ32の実アドレスを計算し、データストローブ(DS)信号に同期してカウントアップを行うことでメモリ32から1ワード毎に連続的にデータをアクセスする。【効果】 アドレス指定のピン数を減らしてLSIパッケージを小型化でき、またデータのアクセス速度を速くすることも可能となる。

請求項（抜粋）：

ブロック単位でデータを扱う装置に使用される半導体メモリ素子のアクセス方法において、メモリへのデータの書き込み/読み出し時のアドレス指定をブロック番号により行い、当該ブロックに含まれるデータをブロック番号に続くタイミング信号に同期して連続的にアクセスすることを特徴とする半導体メモリ素子のアクセス方法。

IPC (4件)：

G11C 11/401 ,  G06F 12/06 523 ,  G11C 11/41 ,  G11C 16/06

FI (4件)：

G11C 11/34 371 K ,  G11C 11/34 301 D ,  G11C 11/34 362 C ,  G11C 17/00 309 J