特許

J-GLOBAL ID：200903092262544904

半導体レーザおよびその作製方法

発明者： 木戸口 勳 ,  伴 雄三郎 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-074977
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021576
出願日： 1991年04月08日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するものである。クラッド層と活性層の間に特殊な構造を作製することで活性層への不純物や欠陥の拡散を防止する。よって良好な特性で、かつ長寿命の半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を介してGa0.5In0.5P活性層4をn-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層3およびp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5で挟むダブルヘテロ構造を有する。Ga0.5In0.5P活性層4とp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5の間に薄膜多層構造6を有する。薄膜多層構造6は5nmのp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P層15と、5nmの不純物無添加の(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P層16を交互にそれぞれ10層積層した構造にである。

請求項（抜粋）：

ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザにおいて、クラッド層と活性層との間に不純物添加の半導体層と不純物無添加の半導体層から成る薄膜多層構造を有し、かつ上記不純物無添加の半導体層の膜厚が多数キャリアの拡散長より薄いことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-082286