半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333418
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193258
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】半導体素子において、外形寸法を変更することなく耐熱特性を向上させ、半導体素子の実装時の信頼性を向上させ且つ、半導体素子の耐電容量の大きな半導体素子を提供すること。【構成】接合面を有する半導体素子の接合面に凹部4を形成し、接合面の面積を大きくしたことを特徴とする半導体素子。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板内に前記第一導電型と反対の導電型である第二導電型層が形成された接合面を有する半導体素子であって、前記接合面を凹凸状に形成したことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 21/22

引用特許：

審査官引用 (3件)

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