カーボン単層ナノチューブの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003636
公開番号（公開出願番号）：特開平9-188509
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】高品質なカーボン単層ナノチューブを長時間製造することができなかった。【解決手段】無電極の高周波プラズマを用いることにより、アーク放電法にあるような電極の消耗によるプラズマ状態の変動が原理的に無く、長時間安定してカーボン単層ナノチューブを合成できる。高周波プラズマの周縁部に原料の供給とは独立に、炭素をエッチングする水素ガスやガス温度を急冷させるアルゴンガスを供給することにより、カーボン単層ナノチューブの収量を下げずに、不純物であるアモルファスカーボンやグラファイトの生成を抑えられる。

請求項（抜粋）：

無電極の高周波プラズマを用いてプラズマを発生させ、炭素原料と金属触媒を前記プラズマ中に供給することを特徴とするカーボン単層ナノチューブの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 101 , D01F 9/127

FI (2件)：

C01B 31/02 101 Z , D01F 9/127

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