特許

J-GLOBAL ID：200903092271452117

半導体装置の製造方法

発明者： 副 庸一郎
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085868
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291131
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 表面変質法を使用することなく、簡便な手段により逆テーパ状の窓明け部分を形成できるようにすることにある。【構成】 半導体基板(11)上に被着形成したレジスト膜(12)のゲート電極形成予定部位(13)に電子ビーム(14a)を照射する。この時、電子ビーム(14a)は、半導体基板(11)の表面近傍部位で反射することにより散乱し、この散乱でもってゲート電極形成予定部位(13)での表面部分よりも下部でより一層多くの部分が露光されることになる。その結果、現像処理によりレジスト膜(12)のゲート電極形成予定部位(13)を溶解除去して窓明けすると、その窓明け部分(15)の断面形状が逆テーパ状となる。その後、ゲート電極材料(16a)(16b)のスパッタリング等により窓明け部分(15)での段切れ状態でもって窓明け部分(15)にゲート電極(17)が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に被着形成したレジスト膜の所定部位を窓明けするに際し、そのレジスト膜の所定部位に、荷電粒子ビームを照射することにより、その窓明け部分の断面形状を逆テーパ状とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 21/30 361 V ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/30 341 P