特許

J-GLOBAL ID：200903092273749273

レジストパターンの形成方法

発明者： 上谷 保則
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172021
公開番号（公開出願番号）：特開平9-319097
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 ポジ型レジストを用いてパターンを形成する際、表面難溶化層の形成を抑制し、また現像液に対する親和性をよくして、レジスト性能の向上を図る。【解決手段】 (A)基板上にポジ型レジスト膜を形成すること、(B)このレジスト膜にパターニングのための活性線を照射すること、(C)このパターニングのための照射とは別に、レジスト膜に吸収される性質を有し、かつパターニングのための活性線とは異なる光を、現像後の膜減りが事実上生じない範囲の露光量で全面露光すること、そして(D)上記パターニングのための照射および全面露光を行ったあとに現像することにより、パターンを形成する。

請求項（抜粋）：

(A)基板上にポジ型レジスト膜を形成すること、(B)該レジスト膜にパターニングのための活性線を照射すること、(C)該レジスト膜に吸収される性質を有し、パターニングのための活性線とは異なる光を、現像後の膜減りが事実上生じない範囲の露光量で該レジスト膜に全面露光すること、そして(D)前記パターニング照射および全面露光を行ったあとに現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (7件)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 502 A