特許

J-GLOBAL ID：200903092282448197

半導体装置の製造方法

発明者： 神山 聡
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-311852
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145423
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 良好なリーク電流特性を保持しながら、十分な容量値を有する容量素子部を形成した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜上に容量下部電極を形成する工程と、前記容量下部電極を含めて前記層間絶縁膜を覆って、高誘電体容量絶縁膜を形成する工程と、第2の導電体として、前記高誘電体容量絶縁膜上に容量上部電極を形成する工程とを有し、前記容量上部電極は、プラズマ化学気相成長(P-CVD)法により窒化タングステン膜を前記高誘電体容量絶縁膜上へ直接形成し、更に、連続して減圧化学気相成長(LPCVD)法により窒化タングステン膜を形成することで、構成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

コンタクト孔を介して半導体基板上のトランジスタのソース、ドレイン領域の一方に接続される第1の導電体として、層間絶縁膜上に容量下部電極を形成する工程と、前記容量下部電極を含めて前記層間絶縁膜を覆って、酸化タンタル(Ta2 O5 )あるいはチタン酸バリウムストロンチウム(BST)などの高誘電体容量絶縁膜を形成する工程と、第2の導電体として、前記高誘電体容量絶縁膜上に容量上部電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記容量上部電極は、プラズマ化学気相成長(P-CVD)法により窒化タングステン膜を前記高誘電体容量絶縁膜上へ直接形成し、更に、連続して減圧化学気相成長(LPCVD)法により窒化タングステン膜を形成することで、構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 27/10 621 Z