特許
J-GLOBAL ID：200903092283526060
温度サイクル動作型セラミツク静電式チヤツク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080760
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109876
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 幅広く変化する温度サイクルにおいて使用できる静電式チャックを提供すること。【構成】 静電式チャック40を、上から下に、分離層42と、基板45上に導電性静電パターン46を配した静電パターン層44と、基板52上に導電性加熱パターン54を配した加熱層50と、支持体60と、及び冷却用チャンネル78と温度制御チャンバ80を設けたヒートシンク台70と、で構成する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハをクランプするための静電式チャックであって、上から下に、a) 電気的に絶縁性でかつ熱伝導性の分離層と、b) 静電パターン層であって、静電力を発生するために該静電パターン層上に配した第1の導電性パターンと、前記第1導電性パターンに電気エネルギを伝えるため該静電パターン層を貫通するように配した第1の導電性バイアと、を有する前記の静電パターン層と、c) 加熱層であって、前記ウェーハを加熱するための熱を発生するために該加熱層上に配した第2の導電性パターンと、前記第1導電性バイアに電気エネルギを伝えるため該加熱層を貫通するように配した第2の導電性バイアと、該第2導電性パターンに電気エネルギを伝えるために該加熱層を貫通するように配した第3の導電性バイアと、を有する前記の加熱層と、d) 支持体であって、前記第1及び第3の導電性バイアに電気エネルギを伝えるために該支持体を貫通するように配した第4及び第5の導電性バイアを有する、前記の支持体と、及びe) ヒートシンク基体であって、前記第4及び第5の導電性バイアにアクセスするためのアクセス孔を該基体を貫通するように設けた、前記のヒートシンク基体と、を備えている静電式チャック。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, B23Q 3/15
, B23Q 11/14
