特許

J-GLOBAL ID：200903092286331340

セラミック配線基板及びその製造方法、並びにそれを用いた部品実装済み配線基板

発明者： 浦島 和浩
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-050250
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243831
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】 配線構造が微細化しても簡便かつ高精度に形成でき、また、導体要素の周囲にてセラミック誘電体層の変形がほとんど生じず、基板主表面の平坦性を大幅に向上できるセラミック配線基板の提供。【解決手段】 緻密化したセラミック材料からなるセラミック誘電体層50と金属導体層51が面一に形成されて積層され、一方の主面に電子部品1を接続するための端子接続パッドアレイ155が形成される。さらにセラミック誘電体層50を厚さ方向に貫通して形成され、金属導体層51同士を導通接続するビア導体35の一部が、セラミック誘電体層の上側主表面における開口と下側主表面における開口とが厚さ方向と直交する平面への正射投影にて一致しない位置関係となるように、傾斜して形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

緻密化したセラミック材料からなる複数のセラミック誘電体層と、配線部、面導体又はパッドからなる層状導体要素をそれぞれ有する複数の金属導体層とが交互に積層された積層体を有し、その積層体の第一主表面側に電子部品を接続するための端子接続パッドアレイが形成され、前記セラミック誘電体層にて隔てられた2つの前記金属導体層にそれぞれ含まれる層状導体要素同士が、前記セラミック誘電体層を厚さ方向に貫通して形成されたビアホール内を充填するビア導体により互いに導通接続された構造を有するセラミック配線基板であって、 前記金属導体層を介して互いに隣接する2つのセラミック誘電体層は、該金属導体層の前記層状導体要素が非形成となる領域にて、貼り合わせ面にて結合され、それらセラミック誘電体層の貼り合わせ位置において前記層状導体要素が、該層状導体要素の一方の主表面が前記貼り合わせ面と層厚方向に一致した位置関係にて形成されてなるとともに、 前記ビア導体のうち任意のビア導体が、前記セラミック誘電体層の上側主表面における開口と下側主表面における開口とが厚さ方向と直交する平面への正射投影にて一致しない位置関係となるように傾斜して形成された前記ビアホール内を充填する傾斜ビア導体とされてなることを特徴とするセラミック配線基板。

IPC (2件)：

H01L23/12 ,  H05K3/46

FI (7件)：

H01L23/12 D ,  H01L23/12 501B ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 L ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 Q ,  H01L23/12 N

Fターム (31件)：

5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA16 ,  5E346AA22 ,  5E346AA24 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB16 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC41 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE02 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346EE12 ,  5E346EE21 ,  5E346EE43 ,  5E346FF01 ,  5E346FF35 ,  5E346FF36 ,  5E346GG04 ,  5E346GG06 ,  5E346GG09 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG19 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子部品実装用回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216039   出願人：京セラ株式会社