特許

J-GLOBAL ID：200903092288687738

MOSFET素子の製造方法

発明者： 韓 晶▲いく▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038385
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310718
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 基板を乾式エッチングしなければならない難点を解決し、チャンネル領域がソースおよびドレイン領域から分離された形態になるようにすることにより、信頼性ばかりでなく動作特性条件いずれも満足させることができる、MOSFET素子の製造方法を提供する。【構成】 MOSFET素子の製造方法は、シリコン基板1にバッファ層と酸化防止膜とを形成してチャンネル領域5とフィールド領域とを同時に定義する工程と、酸化工程を通じてフィールド酸化膜30を形成する工程と、バッファ層、酸化防止膜およびフィールド酸化膜30を除去して凹形状のチャンネル領域5を形成する工程と、ゲート絶縁膜20およびゲート物質層を形成しゲート物質層をパターニングする工程と、ソース-ドレイン領域7およびフィールド酸化膜領域を形成する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

MOSFET素子の製造方法において、シリコン基板にバッファ層と酸化防止膜とを形成してチャンネル領域とフィールド領域とを同時に定義する工程と、酸化工程を通じてフィールド酸化膜を形成する工程と、前記バッファ層、酸化防止膜およびフィールド酸化膜を除去して凹形状のチャンネル領域を形成する工程と、ゲート絶縁膜およびゲート物質層を形成し、ゲート物質層をパターニングする工程と、ソース-ドレイン領域およびフィールド酸化膜領域を形成する工程とからなることを特徴とする、MOSFET素子の製造方法。