特許
J-GLOBAL ID：200903092292389180
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004720
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221193
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】オン電圧の上昇を抑えながらスイッチング速度の高速化を実現した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】アノード領域1、カソード領域2、及びアノード領域1とカソード領域2との間に形成された低濃度領域3から構成されるダイオードにおいて、アノード領域1と低濃度領域3との接合近傍領域、およびカソード領域2の内部に結晶欠陥を形成する。これらの結晶欠陥は、共に、カソード領域2側から荷電粒子を照射することにより形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アノード領域、カソード領域、および上記アノード領域とカソード領域との間に形成された低不純物濃度領域を有する半導体装置を製造する方法であって、
上記カソード領域側から上記アノード領域と上記低不純物濃度領域との接合近傍領域に荷電粒子を照射する工程と、
上記カソード領域側からそのカソード領域に荷電粒子を照射する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/91 J
, H01L21/322 L
