特許

J-GLOBAL ID：200903092293637528

基板処理方法及び基板処理装置

発明者： 逢坂 勉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-179286
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077069
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 レジスト膜や有機汚染物質及び金属汚染物質に対する除去力が高くこれらを速やかに除去できる基板処理方法を提供する。【解決手段】 基板Sの表面をオゾン水Loで処理する基板処理方法であって、基板Sを加熱し、この基板Sの表面に低温でオゾン濃度の高いオゾン水Loを供給する。基板Sの表面には、オゾン水Loを断続的に供給しても良い。オゾン水Lo中には、過酸化水素(H2 O2 )や塩酸(HCl)等の酸のうちの少なくとも1種類を添加することで、基板Sの表面にオゾン水Loと共に酸を供給しても良い。

請求項（抜粋）：

基板の表面をオゾン水で処理する基板処理方法であって、基板を加熱する工程と、前記基板の表面にオゾン水を供給する工程とを行うことを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/308 G